MOSFET (Полевые транзисторы)

Транзисторы применяемые в различных регуляторах (ESC)

Данная информация размещена по причине того, что, не все производители указывают действительные параметры производимых регуляторов ESC
Mamba Monster / Mamba Monster 2 / Blur / ELC-6S / Остальные аналоги…
NTMFS4108NTMFS4901BSC031N06NSBSC011N03      Id (Tc) ~100А

Castle XL-2

BSC019N04     Id (Tc) ~100А


HobbyWing Ezrun Pro

NTMFS4833N      Id (Tc) ~191А


HobbyWing Xerun 150

NTMFS4934N     I(Tc) ~147А


N/A

NTMFS4933N     I(Tc) ~210А


ShenZhen Flier Electronic Cor.,Ltd.

IRFS3004 FS3004    I(Tc) ~340A ! (Wire Bond Limited 195A)


Какой параметр нас интересует, и что искать в «Datasheet»? и одна из причин почему горят транзисторы ESC.

 

https://sites.google.com/site/hpisavagefaq/regulator-esc/mosfet-polevye-tranzistory/mosfetrc.png

 

Простым языком, MOSFET это электронный выключатель позволяющий управлять большими токами, а в частности Электромотором.
Соответственно нас интересуют характеристики канала транзистора, а именно I(Tc)
Средний ток потребления б/к электромотора масштаба 1:8 составляет 120А-150А
В основном Транзисторы горят при превышении нагрузок по току канала, а именно при резком торможении (мотор работает в генераторном режиме), увеличенной нагрузке на ходовую, и.т.п.
См. ниже.
 
Полевой транзистор — полупроводниковый прибор, через который протекает поток основных носителей зарядов, регулируемый поперечным электрическим полем, которое создаётся напряжением, приложенным между затвором и стоком или между затвором и истоком.
  • исток (англ. source) — электрод, из которого в канал входят основные носители заряда;
  • сток (англ. drain) — электрод, через который из канала уходят основные носители заряда;
  • затвор (англ. gate) — электрод, служащий для регулирования поперечного сечения канала.

Общие параметры полевых транзисторов

  1. Максимальный ток стока при фиксированном напряжении затвор-исток.
    • Напряжение пробоя затвор-исток.
      Vgs, тут все уже не так славно, как со стоком-истоком… Дело в том, что изолирован затвор слоем оксида, и если он пробьется- это уже навсегда, ничего там не восстановится. После этого MOSFET придет в негодность. Типичное значение напряга между затвором и истоком — 20В, иногда 30В. Лучше постараться не превышать этот предел, а еще лучше поставить супрессор между ножками G-S на 18В, дабы в случае всплеска тот травил иголки на землю.
  1. Максимальное напряжение сток-исток, после которого уже наступает пробой
    • Напряжение пробоя сток-исток.
      В даташите обозначается Vds, очевидно, это Voltage между drain и source, до которого MOSFET может нормально функционировать, если его превысить, между ножками D и S образуется КЗ, транзистор будет пробит. Что интересно, большая часть полевиков пробиться может без каких-либо для них последствий, главное, чтобы ток при этом не превысил предельного значения Id. После спадения напряжение он продолжит функционировать, как будто бы ничего и не случалось. В даташите эта фича описана строкой Fully Avalanche Rated. Напряжения между D-S у полевиков обычно лежат в пределах 40-600В.
  1. Внутреннее (выходное) сопротивление. Оно представляет собой сопротивление канала для переменного тока (напряжение затвор-исток — константа).
  2. Крутизна стоко-затворной характеристики. Чем она больше, тем «острее» реакция транзистора на изменение напряжения на затворе.
  3. Входное сопротивление. Оно определяется сопротивлением обратно смещенного p-n перехода и обычно достигает единиц и десятков МОм (что выгодно отличает полевые транзисторы от биполярных «родственников»). А среди самих полевых транзисторов пальма первенства принадлежит устройствам с изолированным затвором.
  4. Коэффициент усиления — отношение изменения напряжения исток-сток к изменению напряжения затвор-исток при постоянном токе стока.